截至2025年11月，碳化硅（SiC）市场正处于价值重新评估和结构分歧的关键阶段。在价格方面，低端散装硅碳材料因成本失控而价格上涨，而主流6英寸硅碳基材在供应过剩下持续暴跌。然而，在应用方面，SiC卓越的导热率使其成为英伟达Rubin平台和台积电先进封装中AI芯片散热的战略材料，预示着由高性能计算应用驱动的高价值增长第二波浪潮。

硅基价格趋势：原材料上涨压力，高端基材价格大幅降幅

SiC市场在定价动态上展现出明显的差异。

一方面，散装SiC材料的价格——如黑色和绿色SiC粉末及颗粒——一直在上涨。根据包括CIP商品指数和百富在内的定价平台数据，过去一周散装硅币交易至每公吨6271元人民币，环比上涨0.21%。

本轮涨价由三个核心因素推动：固定原料成本、下游需求扩大以及与环境检查和产能限制相关的供应调整，这些因素共同将成本压力传递到分销链，推高基准材料价格。

另一方面，用于电力设备的6英寸硅碳晶圆基底陷入了激烈的价格战。主要全球供应商的快速产能扩张导致供应过剩，导致基材价格急剧下跌。

业内消息显示，从2024年中到第四季度，价格跌破每片硅片500美元，跌幅超过20%。进入2025年，竞争压力持续，主流报价徘徊在400美元或更低。一些供应商现在提供接近成本的价格，加速了基底市场的整合。

应用聚焦：从人工智能高性能计算（HPC）实现结构突破

截至2025年底，SiC在高性能计算（HPC）中的采用已成为最具决定性的增长动力。随着GPU功率水平飙升，传统热材料已无法满足耗散要求。硅碳的热导率可达500 W/m·K，迅速成为核心解决方案候选。

全球行业领袖的最新动态凸显了这一转变：

NVIDIA将在Rubin平台引入SiC基板作为中介体：

NVIDIA预计将在2025年Rubin平台采用SiC技术，利用台积电先进的CoWoS封装工艺。该计划旨在将传统的硅介质器升级为碳化硅，以应对下一代人工智能加速器的极端热负荷。

台积电推进12英寸硅碳载板生态系统建设：

台积电正积极与供应商合作，评估12英寸单晶硅碳作为高性能热载体，旨在取代高性能计算系统中的传统陶瓷基板。作为领先的硅碳基板供应商，SICC于2025年第一季度推出了完整的12英寸硅碳基板系列，以满足这一新兴需求。

数据中心架构转变：提升SiC电力设备：

随着NVIDIA推动全球数据中心向800V高压直流架构迈进，SiC电力组件的需求预计将大幅增长，进一步扩大SiC在AI服务器电力传输系统中的作用。

新兴光学应用：VR/AR/MR头显：

其折射率为2.6–2.7——远高于传统光学玻璃——SiC在下一代增强/磁共振光学元件中展现出强大潜力。这可能使得更薄、更轻的器件，视场超过70度，为SiC成为未来消费光学的关键材料奠定基础。

综合来看，这些发展表明SiC将远远超越传统电力电子领域，在高性能计算系统热管理骨干中扮演越来越核心的角色，创造行业增长的新S曲线。